LN100LA-G（Microchip，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：LN100LA-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET 2N-CH 1200V

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：2 N-沟道（级联）

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3000 欧姆 @ 2mA，2.8V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 10μA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

功率-最大值：350mW

工作温度：-25°C ~ 125°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：6-VFLGA

LN100LA-G，Microchip产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：LN100LA-G

原始制造厂商：Microchip

技术标准参数：MOSFET 2N-CH 1200V

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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