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APT30GP60B2DLG 零件图片(仅供参考)

APT30GP60B2DLG
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APT30GP60B2DLG 规格参数

  • 制造商产品型号:APT30GP60B2DLG
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:IGBT 600V 100A 463W TMAX
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:PT
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):120A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,30A
  • 功率-最大值:463W
  • 开关能量:260J(开),250J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:90nC
  • 25°C时Td(开/关)值:13ns/55ns
  • 测试条件:400V,30A,5 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • APT30GP60B2DLG,Microchip(微芯科技)产品一站式供应商。
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APT30GP60B2DLG 基本参数:

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