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APTC60HM70RT3G 零件图片(仅供参考)

APTC60HM70RT3G
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APTC60HM70RT3G 规格参数

  • Microsemi美高森美完整型号:APTC60HM70RT3G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:MOSFET 4N-CH 600V 39A SP3F
  • 系列:CoolMOS
  • FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)+ 桥式整流器
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):39A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 39A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):259nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:250W
  • 安装类型:*
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商器件封装:SP3
  • APTC60HM70RT3G,Microchip(微芯科技)产品一站式供应商。
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APTC60HM70RT3G 基本参数:

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