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APTGF150DH120G 零件图片(仅供参考)

APTGF150DH120G
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APTGF150DH120G 规格参数

  • Microsemi美高森美完整型号:APTGF150DH120G
  • 制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
  • 描述:IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP6
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 配置:非对称桥
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200A
  • 功率 - 最大值:961W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.7V @ 15V,150A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):350A
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies):10.2nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC 热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP6
  • 供应商器件封装:SP6
  • APTGF150DH120G,Microchip(微芯科技)产品一站式供应商。
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APTGF150DH120G 基本参数:

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