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APTM120DU29TG 零件图片（仅供参考）

APTM120DU29TG
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APTM120DU29TG 规格参数

  • 制造商产品型号：APTM120DU29TG
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：34A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：348 毫欧 @ 17A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：374nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10300pF @ 25V
  • 功率-最大值：780W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP4
  • APTM120DU29TG，Microchip（微芯科技）产品一站式供应商。
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APTM120DU29TG 基本参数：

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