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APTM20DHM08G 零件图片（仅供参考）

APTM20DHM08G
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APTM20DHM08G 规格参数

  • 制造商产品型号：APTM20DHM08G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：208A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 104A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：280nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：14400pF @ 25V
  • 功率-最大值：781W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：SP6
  • APTM20DHM08G，Microchip（微芯科技）产品一站式供应商。
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APTM20DHM08G 基本参数：

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