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零件图片（仅供参考）
MSCSM120AM11CT3AG
规格参数
  • 制造商产品型号：MSCSM120AM11CT3AG
  • 制造商：Microchip Technology
  • 描述：PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（相角）
  • FET功能：碳化硅（SiC）
  • 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：254A（Tc）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.4 毫欧 @ 120A，20V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 3mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：696nC @ 20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9060pF @ 1000V
  • 功率-最大值：1.067kW（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：模块
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    基本参数：
  • 电子零件型号：MSCSM120AM11CT3AG
  • 原始制造厂商：Microchip
  • 技术标准参数：PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询MSCSM120AM11CT3AG的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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