TC6320TG-G（Microchip，晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽））

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：TC6320TG-G

制造商：Microchip Technology

描述：MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

产品系列：-

零件状态：有源

FET类型：N 和 P 沟道

FET功能：标准

漏源电压（Vdss）：200V

25°C时电流-连续漏极(Id)：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 欧姆 @ 1A，10V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：110pF @ 25V

功率-最大值：-

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

TC6320TG-G，Microchip产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：TC6320TG-G

原始制造厂商：Microchip

技术标准参数：MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

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