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Microchip 宣布推出一款耐辐射、64 兆位 (Mbit) 并行接口 SuperFlash 存储器件

为了减少开发符合航天要求的系统的时间、成本和风险,设计人员可以从商业现货 (COTS) 设备开始,这些设备以后可以被符合航天要求的设备取代, 耐辐射等效部件采用塑料或陶瓷封装,具有相同的引脚分布。Microchip Technology Inc. (纳斯达克股票代码:MCHP)今天宣布推出一款耐辐射、64 兆位 (Mbit) 并行接口 SuperFlash 存储器件,该器件具有无与伦比的总电离剂量 (TID) 容差,可在太空任务的恶劣辐射环境中实现最大的可靠性和稳健性。它是 Microchip 的太空就绪微控制器 (MCU)、微处理器 (MPU) 和现场可编程门阵列 (FPGA) 的理想伴侣,为这种可扩展的开发模型提供构建模块。   

 

“SST38LF6401RT SuperFlash 器件进一步加强了我们使用我们的耐辐射或抗辐射微处理器和 FPGA 开发整体空间系统解决方案的可扩展方法,”Microchip 航空航天和国防业务部副总裁 Bob Vampola 说。“它为这些太空系统提供了最可靠的数字处理所需的重要保护,其中需要配套闪存来存储驱动整个系统的关键软件代码或比特流。”

 

SST38LF6401RT 器件可耐受高达 50 千拉 (krad) TID 的辐射,即使闪存仍处于偏置状态且仍在运行,SST38LF6401RT器件也使系统能够在广泛的空间应用中运行,在这些应用中,它们无法承受任何可能导致严重后果的代码执行损失缺陷和系统损失。它是 Microchip 基于SAMRH71 Arm ® Cortex ® -M7 的抗辐射 SoC 处理器的理想伴侣,也可与公司的RT PolarFire ® FPGA一起使用以支持飞行中的系统重新配置。该器件与其工业版本具有引脚分布兼容性,可轻松过渡到印刷电路板 (PCB) 级别的空间合格塑料或陶瓷版本。SST38LF6401RT 的工作电压范围为 3.0 至 3.6 伏 (V)。

 

开发工具和可用性

SST38LF6401RT SuperFlash 器件现在以陶瓷版本提供样品,并由评估板和演示软件提供支持,可根据要求提供。还可应要求提供 FPGA 飞行编程参考案例,用于将 SuperFlash 器件与 FPGA 和 SAMRH71 处理器与支持软件相结合。

 

Microchip 的 COTS 至辐射耐受工艺

 

通过从其经过验证的汽车或工业合格产品系列中选择相关器件并增加硅工艺改进,Microchip 为它们提供了增强的保护,使其更能抵抗重离子环境中的单事件闩锁。略微修改的设备的辐射性能由每个功能块的专用辐射报告完全表征和支持。这些设备用于从运载火箭和卫星星座到空间站的各种应用。设计人员可以先使用易于采购的 COTS 器件开始系统实施,然后再用高可靠性塑料或陶瓷封装中的引脚兼容、空间合格的等效器件替换它们。

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